2N4919G和BD238

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4919G BD238 2N4919

描述 中功率PNP塑料 Medium-Power Plastic PNPSTMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFEGENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -60.0 V -100 V -60.0 V

额定电流 1.00 A -2.00 A 1.00 A

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 30 W 25 W 30 W

增益频宽积 - 3 MHz 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V 60 V

集电极最大允许电流 3A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 25 @1A, 2V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

额定功率(Max) 30 W 25 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 25000 mW 30000 mW

频率 3 MHz 3 MHz -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 -

直流电流增益(hFE) 10 40 -

额定功率 - 25 W -

长度 - 7.8 mm 7.74 mm

宽度 - 2.7 mm 2.66 mm

高度 - 10.8 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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