对比图
型号 STB100NF04T4 STB200NF04T4 IPB120N04S3-02
描述 STMICROELECTRONICS STB100NF04T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 120 A -
漏源极电阻 0.0043 Ω 3.70 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 310000 mW 300000 mW
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 A 120 A 120A
上升时间 220 ns 320 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 14300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 310 W 300 W
下降时间 50 ns 120 ns 18 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 310000 mW 300W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
阈值电压 2 V - -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 9.35 mm 9.35 mm -
高度 4.6 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -