对比图
型号 STD15NF10T4 STP80NF10 STP140NF55
描述 STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 55.0 V
额定电流 23.0 A 80.0 A 80.0 A
额定功率 - 300 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.065 Ω 0.012 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 300 W 300 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 55 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 45 ns 80 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 300 W 300 W
下降时间 17 ns 60 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 6.6 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 6.2 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 2.4 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -