IRLR8726PBF和IRLR8726TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF STD17NF03LT4

描述 INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 VN沟道,30V,86A,8mΩ@4.5VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 75 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.004 Ω - 0.05 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 75 W 30 W

阈值电压 1.8 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 17.0 A

上升时间 49 ns 49 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 75 W 30 W

下降时间 16 ns 16 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 75W (Tc) 30W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 17.0 A

输入电容 - - 320 pF

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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