对比图
型号 FQP70N08 STP5NK100Z FDP18N50
描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VFDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
安装方式 Through Hole Through Hole -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 17.0 mΩ 3.7 Ω 0.265 Ω
耗散功率 155W (Tc) 125 W 235 W
阈值电压 - 3.75 V 5 V
漏源极电压(Vds) 80 V 1 kV 500 V
上升时间 - 7.7 ns 165 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 2860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 155 W 125 W 235 W
下降时间 - 19 ns 90 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 155W (Tc) 125W (Tc) 235000 mW
额定电压(DC) 80.0 V 1.00 kV -
额定电流 70.0 A 3.50 A -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 80.0 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 70.0 A 3.50 A -
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -