对比图
型号 IPA60R125C6XKSA1 SIHF30N60E-E3 SIHF30N60E-GE3
描述 INFINEON IPA60R125C6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
额定功率 34 W - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 0.104 Ω 0.104 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 34 W 37 W 37 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 30A - -
上升时间 12 ns - 32 ns
输入电容(Ciss) 2127pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds)
下降时间 7 ns - 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 34000 mW 37 W 37 W
长度 10.65 mm 10.63 mm 10.63 mm
宽度 4.9 mm 4.83 mm 4.83 mm
高度 16.15 mm 16.12 mm 16.12 mm
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
产品生命周期 Active - -
包装方式 Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃