对比图
型号 IRFH7932TR2PBF STL150N3LLH5 STL90N3LLH6
描述 Single N-Channel 30V 3.1W 34NC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6mmSTMICROELECTRONICS STL150N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.55 VN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerQFN PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8
额定功率 3.4 W - -
漏源极电阻 2.5 mΩ 0.0014 Ω 0.0038 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 80 W 60 W
产品系列 IRFH7932 - -
阈值电压 1.8 V 1.55 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 17.5 A 90A
输入电容(Ciss) 4270pF @15V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 4 W 60 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 1
上升时间 - 30.8 ns 30 ns
下降时间 - 47.8 ns 12 ns
耗散功率(Max) - 114W (Tc) 60W (Tc)
针脚数 - 8 -
输入电容 - 5800 pF -
漏源击穿电压 - 30 V -
封装 PowerQFN PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 6 mm 6 mm
高度 - 0.81 mm 0.78 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17