对比图
型号 IPD090N03LG IPD090N03LGATMA1 IPB080N03LGATMA1
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorINFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VD2PAK N-CH 30V 50A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 42 W 42 W 47 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 42 W - -
额定功率 - 42 W 47 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0075 Ω 0.0067 Ω
阈值电压 - 2.2 V 1 V
连续漏极电流(Ids) - 40A 50A
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) - 42W (Tc) 47W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
宽度 - 6.22 mm 9.25 mm
长度 - - 10 mm
高度 - - 4.4 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)