CY7C1320KV18-250BZI和CY7C1320KV18-250BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1320KV18-250BZI CY7C1320KV18-250BZXC CY7C1320KV18-250BZC

描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst ArchitectureCY7C1320JV18 18 Mb (512 K x 36) 1.8V 250 MHz DDR-II 2-字突发 SRAM-FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 - 250 MHz -

位数 36 36 36

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991 - 3A991.b.2.a

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台