FDB2532和NTB35N15T4G

对比图

型号 FDB2532 NTB35N15T4G NTB35N15T4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB2532  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 150 V 150 V 150 V

额定电流 79.0 A 37.0 A 37.0 A

额定功率 310 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.014 Ω 0.05 Ω 50.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 178 W 2 W

阈值电压 4 V 2.9 V -

输入电容 5.87 nF - -

栅电荷 82.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 79.0 A 37.0 A 37.0 A

上升时间 30 ns 125 ns 125 ns

输入电容(Ciss) 5870pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 2 W -

下降时间 17 ns 120 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310W (Tc) 2 W 2 W

长度 10.67 mm 9.65 mm -

宽度 11.33 mm 10.29 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99