对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 8.7A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mVPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 8.70 A - 7.40 A
漏源极电阻 22.0 mΩ (max) 0.045 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7401 - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0V (min) 20.0 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.70 A 6.00 A 7.40 A
上升时间 72.0 ns 33 ns -
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds) 1098pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W
针脚数 - 8 -
阈值电压 - 600 mV 890 mV
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±8.00 V
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.25 mm 1.575 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)