BD441G和TIP48G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD441G TIP48G BD441

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220ABNPN功率晶体管 NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 36 W 40 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 300 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 30 @300mA, 10V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 2 W 36 W

直流电流增益(hFE) 15 10 140

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 40 W 36000 mW

频率 3 MHz 10 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 300 V -

额定电流 4.00 A 1 A -

针脚数 3 3 -

增益频宽积 3 MHz 10 MHz -

集电极最大允许电流 4A 1A -

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

长度 7.74 mm 10.28 mm -

宽度 2.66 mm 4.82 mm -

高度 11.04 mm 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

重量 - 0.0004535924 kg -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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