对比图
型号 STD6NM60N-1 STU10NM60N STU75N3LLH6-S
描述 N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
漏源极电阻 - 0.53 Ω 4.2 mΩ
极性 - N-Channel -
耗散功率 45W (Tc) 70 W 60W (Tc)
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 10A -
上升时间 - 12 ns -
输入电容(Ciss) 420pF @50V(Vds) 540pF @50V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W -
下降时间 - 15 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 45W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc)
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.9 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -