对比图
型号 MMBTH10LT1G MMBTH11 MMBTH10LT3G
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFENPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 650 MHz 650 MHz -
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -
额定电流 4.00 mA 50.0 mA -
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
针脚数 3 - -
极性 NPN - NPN
耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V 60
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 60 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
增益频宽积 - - 650 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - 60 @4mA, 10V -
长度 3.04 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 2.64 mm
高度 1.01 mm 0.93 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99