对比图
型号 CSD19533KCS IPP70N10S312AKSA1 AUIRFB4410
描述 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCSInfineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S312AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装INFINEON AUIRFB4410 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0087 Ω 0.0097 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 188 W 125 W 200 W
阈值电压 2.8 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 70A 88A
上升时间 5 ns 8 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 2670pF @50V(Vds) 3350pF @25V(Vds) 5150pF @50V(Vds)
下降时间 2 ns 8 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188W (Tc) 125W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 - - 200 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 100 V
封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-220-3
长度 - 10 mm 10.67 mm
宽度 - 4.4 mm 4.83 mm
高度 - 9.25 mm 16.51 mm
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17