对比图
型号 FDB52N20TM SML20S56 STB40NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 VN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Semelab ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 2 - 3
封装 TO-263-3 - TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 52.0 A - 40.0 A
针脚数 2 - 3
漏源极电阻 0.041 Ω - 0.045 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 357 W - 160 W
阈值电压 5 V - 3 V
输入电容 2.90 nF - 2.50 nF
栅电荷 63.0 nC - 75.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
栅源击穿电压 200 V - -
连续漏极电流(Ids) 52.0 A - 25.0 A, 40.0 A
上升时间 175 ns - 44 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) - 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 357 W - 160 W
下降时间 29 ns - 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 357 W - 160W (Tc)
漏源击穿电压 - - 200 V
长度 9.98 mm - 10.4 mm
宽度 10.16 mm - 9.35 mm
高度 4.572 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 - TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99