对比图
型号 APT51M50J STE53NC50 STE70NM50
描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 51.0 A 53.0 A 70.0 A
额定功率 - 460 W 600 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 - 0.08 Ω 45 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 480000 mW 460 W 600 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 51.0 A 53.0 A 30.0 A
上升时间 55 ns 70 ns 58 ns
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 11600pF @25V(Vds) 11200pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 460 W 600 W
下降时间 39 ns 38 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 480W (Tc) 460W (Tc) 600W (Tc)
输入电容 11.6 nF - -
栅电荷 290 nC - -
长度 - 38.2 mm 38.2 mm
宽度 - 25.5 mm 25.5 mm
高度 - 9.1 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99