对比图
型号 FDD10AN06A0 STD60NF06T4 IRFR2407PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD10AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER IRFR2407PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 42A, D-PAKS 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V - 75.0 V
额定电流 50.0 A - 42.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0094 Ω 0.014 Ω 26 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 110 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 1.84 nF - 2400pF @25V
栅电荷 28.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 -60.0 V 60.0 V 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 60.0 A 42.0 A
上升时间 79 ns 108 ns 90.0 ns
输入电容(Ciss) 1840pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 110 W 110 W
下降时间 32 ns 20 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135 W 110W (Tc) -
产品系列 - - IRFR2407
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -