对比图
型号 IRF2807ZSPBF STB60N55F3 STB140NF55T4
描述 N沟道 75V 75AN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V - 55.0 V
额定电流 75.0 A - 80.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 110 W 300 W
产品系列 IRF2807ZS - -
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 56.0 A, 80.0 A 80.0 A
上升时间 79.0 ns 50 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 3270pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 110 W 300 W
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 8.5 mΩ 0.0065 Ω
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
下降时间 - 11.5 ns 45 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -