BSO072N03S和FDS7760A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO072N03S FDS7760A FDS6670A

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS?2 Power-TransistorN沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6670A  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 12.0 A - 13.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 5.50 mΩ 8 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 1.56 W 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - - 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - -100 V 30 V

栅源击穿电压 - 30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.0 A 13.0 A

上升时间 5.4 ns - 15 ns

输入电容(Ciss) 3230pF @15V(Vds) 3514pF @15V(Vds) 2220pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 1 W 1 W

下降时间 5.4 ns - 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

输入电容 3.23 nF - -

栅电荷 25.0 nC - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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