CSD87330Q3D和CSD87353Q5D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87330Q3D CSD87353Q5D CSD87333Q3D

描述 30V 同步降压 NexFET™ 电源块30V 同步降压 NexFET™ 电源块高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 VSON-8

输出接口数 1 1 -

通道数 - 2 -

耗散功率 6 W 12 W 6 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - ±30 V -

输入电压(Max) 27 V 27 V -

输出电压(Max) 1.2 V 1 V -

输出电流(Max) 15 A 25 A -

输入电容(Ciss) 900pF @15V(Vds) 3190pF @15V(Vds) 662pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 6 W 12 W 6 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 - - 0.0119 Ω

极性 Dual N-Channel - Dual N-Channel

阈值电压 1 V - 950 mV

上升时间 - - 3.9 ns

下降时间 - - 2.2 ns

耗散功率(Max) 6000 mW - -

长度 3.4 mm 6.1 mm 3.3 mm

宽度 3.4 mm 5.1 mm 3.3 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1 mm

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 VSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台