IRFR13N15D和IRFR13N15DPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR13N15D IRFR13N15DPBF PSMN063-150D,118

描述 DPAK N-CH 150V 14AINFINEON  IRFR13N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 150 V, 0.18 ohm, 10 V, 5.5 V 新PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 86 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.18 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 86.0 W 86 W 150 W

产品系列 IRFR13N15D IRFR13N15D -

阈值电压 - 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A -

上升时间 26 ns 26 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 2390pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 86 W 150 W

下降时间 11 ns 11 ns 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 86000 mW 86W (Tc) 150W (Tc)

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 14.0 A - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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