对比图
型号 FQP12N60C STP10NK60Z STP10NM60N
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP12N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 12.0 A 10.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 530 mΩ 0.75 Ω 0.53 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 225 W 115 W 70 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3 V
输入电容 2.29 nF - 540 pF
栅电荷 63.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 10.0 A -
输入电容(Ciss) 2290pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 540pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 225 W 115 W 70 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225W (Tc) 115000 mW 70W (Tc)
额定功率 - 115 W -
上升时间 - 20 ns 12 ns
下降时间 - 30 ns 15 ns
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR