BUK7510-55AL和PSMN015-100P,127

对比图

型号 BUK7510-55AL PSMN015-100P,127 BUK7510-100B

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VMOS(场效应管)/BUK7510-100B 管装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 110 A

漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) - 4900pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 300 W

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 122A - -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.012 Ω -

耗散功率 - 300 W -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 4900 pF -

上升时间 - 65 ns -

下降时间 - 50 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free