对比图
型号 IPB016N06L3G IPB017N06N3G IPB180N06S4-H1
描述 60V,180A,N沟道功率MOSFET60V,180A,N沟道功率MOSFETINFINEON IPB180N06S4-H1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7 7
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7
通道数 - - 1
针脚数 - - 7
漏源极电阻 - - 0.0013 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 250 W 250 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
连续漏极电流(Ids) - - 180A
上升时间 79 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) - - 16840pF @25V(Vds)
下降时间 38 ns - 15 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 250 W
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 9.45 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -