对比图
型号 STD10NM50N STD6N95K5 STD35NF06LT4
描述 STMICROELECTRONICS STD10NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 35.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.53 Ω 1 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 90 W 80 W
阈值电压 3 V 4 V 1 V
输入电容 - 450 pF 1700 pF
漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 7A 9A 17.5 A
上升时间 4.4 ns 12 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 450pF @50V(Vds) 450pF @100V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 90 W 80 W
下降时间 12 ns 21 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 90W (Tc) 80W (Tc)
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99