对比图
型号 PD84008-E PD84008S-E PD84008L-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 3 3 14
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF 5X5-8
频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz
耗散功率 79000 mW 79 W 26.7 W
输出功率 2 W 8 W 2 W
增益 16.2 dB 16.2 dB 15.5 dB
测试电流 250 mA 250 mA 250 mA
输入电容(Ciss) 56pF @7V(Vds) 56pF @7V(Vds) 57pF @7V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 26700 mW
额定电压 25 V 25 V 25 V
额定电流 7 A - 7 A
漏源极电压(Vds) 25 V - 25 V
针脚数 - - 8
长度 - 7.5 mm -
宽度 - 9.4 mm -
高度 - 3.5 mm -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF 5X5-8
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃