对比图
型号 RFP30P05 SPP70N10L RFG70N06
描述 30A ， 50V ， 0.065欧姆，P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETsSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3-1 TO-247-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - 100 V 60.0 V
额定电流 - 70.0 A 70.0 A
漏源极电阻 - - 14.0 mΩ
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 250W (Tc) 150W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 100 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 70.0 A 70.0 A
输入电容(Ciss) - 4540pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 250W (Tc) 150W (Tc)
输入电容 - 4.54 nF -
栅电荷 - 240 nC -
上升时间 - 250 ns -
额定功率(Max) - 250 W -
下降时间 - 95 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 - TO-220-3-1 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99