2N4919G和BD13816STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4919G BD13816STU 2N4919

描述 中功率PNP塑料 Medium-Power Plastic PNPPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。GENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 1.00 A -1.50 A 1.00 A

额定功率 - 1.25 W -

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 30 W 12.5 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 3A 1.5A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 100 @150mA, 2V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 150 250 150

额定功率(Max) 30 W 1.25 W 30 W

直流电流增益(hFE) 10 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 12.5 W 30000 mW

增益频宽积 - - 3 MHz

频率 3 MHz - -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 - 8 mm 7.74 mm

宽度 - 3.25 mm 2.66 mm

高度 - 11 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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