对比图
型号 IRF840B STP9NK50Z IRF840LCPBF
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP9NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 7.20 A 8.00 A
额定功率 - 110 W -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 650 mΩ 0.72 Ω 0.85 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 134 W 110 W 125 W
阈值电压 - 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.20 A 8.00 A
上升时间 65 ns 20 ns 25.0 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 134 W 110 W 125 W
下降时间 75 ns 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 134W (Tc) 110W (Tc) 125000 mW
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -