IPB47N10S-33和IPI47N10S-33

对比图

型号 IPB47N10S-33 IPI47N10S-33 SPI47N10

描述 SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement modeSIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement modeSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Through Hole

封装 TO-263-3 I2PAK-3 TO-262-3-1

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 47.0 A

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 175W (Tc) - 175W (Tc)

输入电容 - - 2.50 nF

栅电荷 - - 105 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 47A 47A 47.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) - 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 175W (Tc) - 175W (Tc)

上升时间 23 ns 23 ns -

下降时间 15 ns 15 ns -

封装 TO-263-3 I2PAK-3 TO-262-3-1

长度 10 mm 10.2 mm -

宽度 9.25 mm 4.5 mm -

高度 4.4 mm 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended - Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -