DS1265AB-70+和DS1265Y-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265AB-70+ DS1265Y-70+ DS1265AB-70

描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

内存容量 1000000 B 8000000 B 1000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

长度 - 53.34 mm 53.34 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 10.29 mm 10.29 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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