对比图
型号 BC856BDW1T1G BC856S@115 BC856BDW1T1
描述 ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363BC856S@115双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 SC-70-6 - SC-70-6
频率 100 MHz - -
额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
针脚数 6 - -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 380 mW - 380 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V - 65 V
集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 380 mW - 380 mW
直流电流增益(hFE) 220 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 380 mW - -
长度 2 mm - 2 mm
宽度 1.25 mm - 1.25 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
封装 SC-70-6 - SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 - - NLR