对比图
型号 IRFW644B STP55NF06 SPP04N80C3
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V 800 V
额定电流 - 50.0 A 4.00 A
额定功率 - 110 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.015 Ω 1.1 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 30 W 63 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 800 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 800 V
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 4.00 A
上升时间 - 50 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 63 W
下降时间 - 15 ns 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 63W (Tc)
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 4.4 mm
高度 - 9.15 mm 15.65 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17