对比图
型号 IRF3710PBF STP80NF12 STP60NF10
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 120 V 100 V
额定电流 57.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.023 Ω 0.013 Ω 19 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 300 W 300 W
产品系列 IRF3710 - -
阈值电压 4 V 2 V 3 V
输入电容 3130pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 120 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 120 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 57.0 A 80.0 A 40.0 A
上升时间 58.0 ns 145 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 300 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
下降时间 - 115 ns 23 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
高度 16.51 mm 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 NLR NLR -
ECCN代码 - EAR99 EAR99