DTA123JET1G和DTA123JETL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123JET1G DTA123JETL DTA123JM3T5G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-416-3 SOT-723-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 0.3 W 0.15 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V 80

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 80

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 260 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 600 mW

增益带宽 - 250 MHz -

长度 1.6 mm 1.6 mm 1.2 mm

宽度 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm

高度 0.75 mm 0.7 mm 0.5 mm

封装 SC-75-3 SOT-416-3 SOT-723-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

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