对比图
描述 双N和P沟道功率沟槽 Dual N & P-Channel Power TrenchSTMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 7.00 A 8.00 A
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W 1.6 W
输入电容 528 pF -
栅电荷 9.60 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 8.00 A, 4.20 A
上升时间 13.0 ns 35.0 ns
输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W
耗散功率(Max) 900 mW 2000 mW
通道数 - 2
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.018 Ω
阈值电压 - 1.6 V
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99