J112G和J112RL1

对比图

型号 J112G J112RL1 J112_D27Z

描述 JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET N-CH 35V 625mW TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V 35.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW - 625 mW

漏源极电压(Vds) 35.0 V 35.0 V 35.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 5.00 mA

击穿电压 35 V 35 V 35 V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 625 mW

栅源击穿电压 35.0 V 35.0 V -

击穿电压 -35.0 V - -

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99