对比图
型号 SPB80N06S2-H5 STB80NF55-06T4 IPB054N06N3GATMA1
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STB80NF55-06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - - 115 W
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 115 W
输入电容 550 pF - 5000 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
上升时间 - 155 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5000pF @30V(Vds)
下降时间 - 65 ns 9 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 115 W
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.005 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) 300 W 300 W -
栅电荷 155 nC - -
长度 - 10.4 mm 10.31 mm
宽度 - 9.35 mm 11.05 mm
高度 - 4.6 mm 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -