ULQ2003ATDQ1和ULQ2003D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULQ2003ATDQ1 ULQ2003D1 E-ULQ2003D1

描述 高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSEVEN达林顿阵列 SEVEN DARLINGTON ARRAYSSO NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 950 mW - 950 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

输出接口数 7 - -

驱动器/包 7 - -

输出电流(Max) 500 mA - -

额定功率(Max) 950 mW - -

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 9.9 mm 10 mm -

宽度 3.91 mm 4 mm -

高度 1.58 mm 1.6 mm -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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