FDB8444和FDB8444_F085

对比图

型号 FDB8444 FDB8444_F085

描述 N沟道的PowerTrench ？ MOSFET 40V ， 70A ， 5.5mOhm N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhmPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount

耗散功率 167 W 167 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

上升时间 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 8035pF @25V(Vds) 8035pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W -

下降时间 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167W (Tc) 167W (Tc)

漏源极电阻 5.50 mΩ 3.9 mΩ

极性 N-Channel N-CH

漏源击穿电压 40.0 V 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 70A

通道数 - 1

封装 TO-263-3 TO-263-3

高度 4.83 mm 4.83 mm

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 EAR99