PSMN1R0-40YLDX和PSMN2R6-40YS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN1R0-40YLDX PSMN2R6-40YS,115 BUK7Y4R4-40EX

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 VNexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 5

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

通道数 1 - 1

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.00093 Ω 0.002 Ω 3.3 mΩ

耗散功率 198 W 131 W 147 W

阈值电压 1.7 V 3 V 3 V

输入电容 8845 pF 3776 pF 2085 pF

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

上升时间 62 ns 22 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 8845pF @20V(Vds) 3776pF @12V(Vds) 2781pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 131 W 147 W

下降时间 38 ns 15 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 198W (Tc) 131W (Tc) 147W (Tc)

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4

长度 5.3 mm 5 mm -

宽度 - 4.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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