ISL9N306AD3ST和FDD8896_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9N306AD3ST FDD8896_NL FDD8896

描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V , 50A , 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mзTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8896  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

漏源极电阻 9.50 mΩ - 0.0047 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 125 W - 80 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 17A 94.0 A

上升时间 70 ns - 106 ns

下降时间 30 ns - 41 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 94.0 A

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 2.52 nF

栅电荷 - - 46.0 nC

输入电容(Ciss) - - 2525pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 80 W

耗散功率(Max) - - 80W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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