对比图
型号 MUN5135T1G PDTA123JE,115 MUN5135T1
描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorNXP PDTA123JE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-70-3 SOT-416 SC-70-3
额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.31 W 150 mW 310 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) 202 mW 150 mW 202 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310 mW - 310 mW
无卤素状态 Halogen Free - -
最大电流放大倍数(hFE) 80 - -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 100 -
高度 - - 0.85 mm
封装 SC-70-3 SOT-416 SC-70-3
宽度 1.24 mm - -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 EAR99 - -