对比图
型号 CSD25481F4 CSD25483F4 CSD25481F4T
描述 P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W420V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25483F4TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.075 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW
阈值电压 950 mV 950 mV 950 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - - 20 V
连续漏极电流(Ids) 2.5A 1.6A 2.5A
上升时间 3.6 ns 3.7 ns 3.6 ns
输入电容(Ciss) 189pF @10V(Vds) 198pF @10V(Vds) 189pF @10V(Vds)
下降时间 6.7 ns 7 ns 6.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500mW (Ta) 500 mW
长度 1 mm - 1.04 mm
宽度 0.6 mm - 0.64 mm
高度 0.35 mm - 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99