IDT03S60C和IDT04S60C

对比图

型号 IDT03S60C IDT04S60C IDH10S60C

描述 2ndGeneration的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky DiodeINFINEON  IDH10S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 10 A, 24 nC, TO-220

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220 TO-220 TO-220-2

正向电流(Max) 4.5 A - 10000 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW - 100000 mW

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 4.00 A -

输出电流 - ≤4.00 A -

正向电压 - 1.7 V 1.7 V

极性 - Standard -

正向电流 - 4 A 10 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 32 A 84 A

额定功率 - - 100 W

负载电流 - - 10 A

反向恢复时间 - - 0 ns

正向电压(Max) - - 1.7V @10A

工作结温(Max) - - 175 ℃

封装 TO-220 TO-220 TO-220-2

长度 - 9.9 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 9.2 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - Contains SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - - EAR99