MMUN2132LT1G和PDTA143EE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2132LT1G PDTA143EE,115 MMUN2131LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2132LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23SC-75 PNP 50V 100mA数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-75 SOT-23-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.4 W 0.15 W 246 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 30 @10mA, 5V 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) 246 mW 150 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 180 MHz -

耗散功率(Max) 400 mW 150 mW 400 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 8

高度 0.94 mm 0.85 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SC-75 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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