对比图
型号 STB12NM50FD-1 STP12NM50 SPA12N50C3
描述 N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 I2PAK TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V 560 V
额定电流 - 12.0 A 11.6 A
额定功率 - 160 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.35 Ω 380 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 160 W 33 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12A 12.0 A 11.6 A
上升时间 - 10 ns 8 ns
输入电容(Ciss) - 1000pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 160 W 33 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 160W (Tc) 33 W
下降时间 - - 8 ns
长度 - 10.4 mm 10.65 mm
宽度 - 4.6 mm 4.85 mm
高度 - 9.15 mm 9.83 mm
封装 I2PAK TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -