FQPF5N50C和STP5NK50ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF5N50C STP5NK50ZFP STP75NF75

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP5NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 500 V - 75.0 V

额定电流 5.00 A - 80.0 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 1.4 Ω 1.22 Ω 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 38 W 25 W 300 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 75 V

漏源击穿电压 500 V - 75.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 4.40 A 80.0 A

上升时间 46 ns 10 ns 25.0 ns

输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 25 W 300 W

下降时间 48 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 70W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3.75 V 3 V

工作结温(Max) - - 175 ℃

长度 10.36 mm - 10.4 mm

宽度 4.9 mm - 4.6 mm

高度 16.07 mm - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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