对比图
型号 IPB080N03LGATMA1 IRLR8729PBF IPD090N03LGATMA1
描述 D2PAK N-CH 30V 50AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 47 W 55 W 42 W
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.0067 Ω - 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 47 W 55 W 42 W
阈值电压 1 V - 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 50A 58A 40A
输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 47W (Tc) 55W (Tc) 42W (Tc)
上升时间 - 47 ns -
额定功率(Max) - 55 W -
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
宽度 9.25 mm 6.22 mm 6.22 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 10 mm 6.73 mm -
高度 4.4 mm 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17